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串行FLASH SSF1101在单片机

时间:2018-01-17 理工毕业论文 我要投稿
摘要:SSF1101是存储容量为4Mbit的SPI串行接口FLASH存储器,其IC卡封装形式可作为单片机系统的大容量数据存储卡。文中介绍了该器件的主要特性和工作原理,并以IC卡封装形式为例,给出了其与单片机的接口电路及相应的读写程序。

1 概述

对于野外移动工作或不便与上位机通信的单片机数据采集系统,使用一个大容量、可插拔、便于更换和携带的智能卡来存储采集到的数据,是一个较好的数据存储方案。SSF1101是上海新茂半导体有限公司生产的4Mbit串行接口可编程闪速存储器,该器件采用SPI串口模式与单片机或微机通信,无需任何外围元件。利用该器件提供的IC卡封装形式,可非常方便地和单片机系统进行接口以构成大容量的数据存储装置。同时,该芯片具有封装尺寸小、集成度高、电压低、存储容量大、接口方式简单等优点,在商业和工业领域具有广泛的应用前景。

2 性能特点

SSF1101是一个4Mbit的串行FLASH存储器,具有4根器件识别脚,可在一个系统中最多能扩展16片,其总存储容量可达8M字节,该器件的性能特点如下:

●SPI串行数据接口符合SPI标准;

●器件内具有4M Bit 闪速存储器,512页,每页1024字节;

●内置4位器件地址译码电路,可直接并联扩展存储容量,最多可连接16片;

●带有双1k字节的数据缓冲器,可在编程期间写入或读取数据,且读。慈氲刂纷远菰;

●高速页面编程,典型时间为20ms;

●高速页面到数据缓冲器的传输典型时间为100μs;

●页面擦除典型时间为10ms;

●器件擦除典型时间为2s;

●内置擦除/编程时序逻辑;

●可硬件写;;

●时钟频率最高达10MHz;

●采用单5V电源工作,并有低电压2.7~3.5V可供选择;

●低功耗,休眠电流典型值为18μA;

●与CMOS电平和TTL输入/输出电平兼容;

●工作温度很宽(商用);

●内置上电复位电路;

●在数据缓冲器和主Flash之间进行传送或比较时,可对未用的数据缓冲器和状态寄存器进行操作。

SSF1101采用32脚TSOP封装和IC卡封装两种形式,其TSOP封装外形及引脚排列如图1(a)所示,IC卡的触点配置如图1(b)所示。器件的引脚功能说明见表1所列。

表1 SSF110引脚说明

序 号引脚名I/O

描 述

1RDY/BUSYO闲/忙指示,此脚为低时表示器件忙,不能闪存进行操作2RSTI复位,低有效3WPI写;,高有效。此信号有效时不能对闪存进行写擦除操作6VccI电源7,8GNDI地4,5,9,10ID0~ID3I芯片地址A0~A3,只有命令中的Device ID和ID0~ID3引脚电平一致时,命令才会被器件接受11TMI测试引脚,正常使用时接地12CSI片选,低有效,命令输入后应重新置为高电平13SCKI串行输入数据时钟14SII数据输入,命令和数据都由此脚串行输入15SOO/Z串行数据输出,三态16~32NCZ空脚

3 工作原理

SSF1101具有4194304位主存储单元,分成512页面、每页面1024个字节。此外SSF1101还包含有2个SRAM缓冲器,每个缓冲器有1024个字节,当主存储器内的1页正被编程时,缓冲器照样能接收输入数据。SSF1101使用SPI串口访问它的数据,因而硬件设计十分方便,系统可靠性很强,并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间,不需要高电压,而编程电压仍为电源电压。 图2所示是SSF1101存储器的内部结构框图。

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